近日，碳化硅厂商掀起一轮8英寸晶圆投资热潮。除碳化硅龙头Wolfspeed位于美国纽约州的8英寸晶圆厂实现小批量供货外，英飞凌、意法半导体、三星、三菱电机以及部分国内厂商，也纷纷宣布投入8英寸碳化硅生产线的建设。

碳化硅产业一向有“得材料者得天下”的说法，几乎所有厂商都希望能锁定优质衬底材料产能，在这一轮产业浪潮中抢占先机。不过，SiC材料生长缓慢并且边缘缺陷较大，从6英寸向8英寸过渡，必将面临更大的提高生产良率的挑战，很难一蹴而就。这也意味着，碳化硅8英寸时代尚需一段时间才会到来，给予国内碳化硅厂商一定的回旋时机。

8英寸碳化硅晶圆量产临近

碳化硅衬底是整个碳化硅产业链中成本占比zui大、技术门槛zui高的环节，对相关产品的放量起着决定性作用。扩大晶圆尺寸一向是半导体行业获得更大晶片产能的不二法门。根据华雄统计数据，从6英寸升级到8英寸，获得的优良裸片（die）数量可以增加20%～30%。因此， 这也驱使越来越多碳化硅大厂投入到这场碳化硅晶圆的“升级战”当中。2015年Wolfspeed便展示了8英寸碳化硅衬底。2019年5月，Wolfspeed宣布投入10亿美元进行莫霍克谷新厂的建设。近日其8英寸厂已经实现量产，并向终端客户批量出货碳化硅MOSFET。不过据华雄集团董事长朱峻咸预测，该厂当前可能仍以小批量投产为主，尚未实现真正的规模量产。但这依然显示出，Wolfspeed在推进8英寸碳化硅上的决心。除此之外，包括意法半导体、英飞凌、Soitec、三菱电机、三星等新老厂商都在积极推进8英寸碳化硅的开发。

2026-2027年或将全面进入市场？

然而，碳化硅向8英寸升级并非易事，即便少数几家公司能够部分量产8英寸晶圆也不意味着碳化硅的8英寸时代就此到来。碳化硅衬底的生产有着很多难点，包括碳粉硅粉的合成、晶体的生长、晶锭加工等诸多细节步骤。从6英寸到8英寸的生长难度是几何级增长。因为扩径以后，需要更大的籽晶和制程，对温度控制的难度会大幅提升。这些难度表现在，扩径生长、温场控制、晶体生长及切割应力等诸多方面，同时涉及大量he心参数的调整，如直径、杂质、均匀性、弯曲翘曲以及光滑度等。制约SiC大规模生产的主要因素并不是资金设备等方面的投入，而是碳化硅的生长性。怎样让晶圆长快、长厚、长大，这是综合材料和工艺的问题，需要投入研究试验和积累。目前国内外zhuan家和各厂家正在加大投入攻克这些难题，未来3-5年内或会有所突破。

国内厂商不应错过“早班车”

尽管现阶段8英寸碳化硅只能实现小批量供货，短期内不会对市场造成较大影响。但是从长期来看，随着技术的进步，材料生长与切割工艺方面的问题必然会被突破，随着成品率的提高也产能的增长，8英寸晶圆的芯片价格也必然会低于6英寸，并对碳化硅现有价格与产业格局产生影响。

目前，国内厂商也在积极布局8英寸碳化硅晶圆的开发与量产。不过，目前国内实现量产的生产线仍以6英寸为主。虽然也有部分企业实现了8英寸送样，但是“小批量量产”与“量产”是不同的，二者在良率、成本上有着本质的差别。“中国企业应从长远的角度看到机遇，并相应地调整战略，加大投入力度，尽快实现8英寸碳化硅晶圆上的突破。”华雄集团董事长朱峻咸表示。为应对新的的挑战，国内器件厂商应与衬底、外延等原材料厂商积极配合，充分整合国内产业链企业，共同开发8英寸材料、工艺等技术，包括降低芯片导通电阻及芯片面积，提高单晶圆产出。同时整合国内供应链，利用国产衬底外延材料价格及产能优势，降低成本提高产出，在研发、技术、工艺、质量、产业化等多个维度全面提升he心竞争力。