华雄集团董事长朱峻咸分析，近期，德龙激光在投资者互动平台回复投资者表示，公司已完成SiC晶锭切片技术的工艺研发和测试验证，并取得了头部客户批量订单，这条回复的背后意味着国产碳化硅产业链又在一关键领域取得占位。
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改善SiC良率的关键技术
据华雄集团资料显示，由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶锭切割成为SiC器件制造he心瓶颈，对SiC器件的良率起着至关重要的作用。
传统的机械金刚石刀片切割是通过高速旋转的金刚石图层刀片来对SiC晶锭进行切割，切割跑道的宽度通常在50~100微米范围。这种切割方式的劣势在于随着单晶直径的增大，必须要更换锯片，在这个过程中，很容易造成晶片的破裂。
此外，一旦SiC晶片厚度小于2mm则很容易导致晶片开裂，造成不良率增加。
为了提升良率，近年来不少企业都采用更为先进的激光切割和冷分离技术。其中英飞凌通过收购一家名为SILTECTRA的科技公司，掌握了SiC的冷切割技术。
该技术主要由两个环节组成，di一步是先用激光照射晶锭剥落层，使碳化硅材料内部体积膨胀，从而产生拉伸应力，形成一层非常窄的微裂纹，第二步则是通过聚合物冷却步骤将微裂纹处理为一个主裂纹，zui终将晶圆与剩余的晶锭分开。
值得注意的是SILTECTRA的冷切割技术是迄今为止di一个也是wei一一个能在半导体级实现20~200μm厚度无损切割的技术，该项技术涵盖70个zhuan利族总共200项zhuan利，因此英飞凌收购SILTECTRA后在SiC制造的关键步骤掌握了主动权。
在中国企业中，德龙激光布局SiC 晶锭切割相对较早，其zui大的切割晶锭尺寸可达到8英寸，6英寸的加工时间小于15min，分片后研磨损耗小于 50 微米，此前德龙激光在调研是表示，公司目前一锭切出来30片晶圆，大概需要4~5个小时，相对于传统的金刚线则只能切出22、23片晶圆来说，德龙的激光切割效率提升了40%左右。
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国产SiC设备加速崛起
德龙激光在激光切割领域取得进步，是国产SiC设备不断取得阶段性进步的一张侧写照。随着SiC产业的不断繁荣，在过去几年时间里，国产SiC设备也在不断地进步。
今年年初，盖泽半导体表示其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户，该设备主要是针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量，具有兼容性强，可基于客户需求进行定制化、测量时间更短，精度更高等特点。
此外，苏州宝士曼在今年年初，具有完全自主知识产权的烧结设备也正式出厂，银烧结是第三代半导体封装技术中应用zui为广泛也是zuihe心的技术，苏州宝士曼银烧结设备的出厂意味着国产SiC产业链又拿下关键一环。
去年四月，季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备，也取得突破性进展。综合来看，国产SiC设备正在一步步地崛起。